Upgrade einer Prozesskammer für Plasmaätzprozesse für ein Tokyo Electron TACTRAS Cluster-Tool

Status
Vergeben
Angebotsfrist
Nicht angegeben
Geschätzter Wert
Nicht angegeben
Lose
1
Erfüllungsregion
Sachsen, Deutschland
Verfahren
Verhandlungsverfahren ohne Aufruf
Auftragsart
Lieferleistung
Veröffentlicht
01.06.2026
CPV-Codes
Diverse Maschinen und Geräte für besondere Zwecke (42990000)
Bekanntmachung
ted.europa.eu
Bekanntmachungsnummer
374703-2026
Verfahrensnummer
42e6c59a-63ba-43c4-98bb-7a7b5c3c48d3

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Kurzbeschreibung

Das Fraunhofer-Institut für Photonische Mikrosysteme (IPMS) schreibt das Upgrade einer bestehenden Prozesskammer für Plasmaätzprozesse auf 300-mm-Wafern aus. Die neue Komponente soll in ein bestehendes Cluster-Tool des Typs Tokyo Electron TACTRAS integriert werden. Der Auftrag umfasst die Lieferung und technische Anpassung der Kammer inklusive optionaler Konfigurationsmöglichkeiten.

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Leistungsbeschreibung

Upgrade BEOL etching system (IPMS-CNT05.2)

Leistungen nach Losen (1)

  • LOT-0000 · Upgrade BEOL etching system (IPMS-CNT05.2) - PR874835-2480-P

    1 Stück Upgrade BEOL etching system (IPMS-CNT05.2) Eine Prozesskammer für Plasmaätzprozesse auf Wafern mit einem Durchmesser von 300 mm, die auf einem bestehenden Cluster-Tool "Tokyo Elecron TACTRAS" des Fraunhofer IPMS CNT aufgerüstet werden soll. Optionale Leistungspositionen: 6.12 Beschreibung der Prozesskammer esc Temperatur über Rezepturschritt einstellbar ja / nein; bitte angeben 6.24 Prozesskonfiguration, optional Oxidätzen mit Resistmaske (wie für TSV-Mid-Anwendungen) ja / nein; bitte angeben 6.25 Prozesskonfiguration, optional ARC-Ätzen ja / nein; bitte angeben 7.19 Prozessspezifikationen / optionale Prozesse Starterezept für SiO2-Ätzen mit Fotolackmaske auf 500 nm Top CD, 600 nm Fotolack bereitstellen ja / nein; bitte angeben 7.20 Prozessspezifikationen / optionale Prozesse Starterezept für ARC-Ätzen mit Fotolackmaske auf 500 nm Top CD, 600 nm Fotolack bereitstellen ja / nein; bitte angeben 8.10 Gas-Tabelle Hauptgase (Option) SiF4 ja / nein; bitte empfohlenen Durchflussbereich angeben 8.11 Gas-Tabelle Hauptgase (Option) Cl2 ja / nein; bitte empfohlenen Durchflussbereich angeben 8.15 Gas-Tabelle Seitengase (Option) CF4 ja / nein; bitte empfohlenen Durchflussbereich angeben 8.16 Gas-Tabelle Seitengase (Option) SiCl4 ja / nein; bitte empfohlenen Durchflussbereich angeben 8.17 Gas-Tabelle Nebengase (Option) Ar ja / nein; bitte empfohlenen Durchflussbereich angeben 8.18 Gas-Tabelle Nebengase (Option) NF3 ja / nein; bitte empfohlenen Durchflussbereich angeben 8.19 Gas-Tabelle Nebengase (Option) C4F8 ja / nein; bitte empfohlenen Durchflussbereich angeben 8.20 Gase auf der Gassentischseite (Option) CH2F2 ja / nein; bitte empfohlenen Durchflussbereich angeben 15.1 optional angebotene Funktionen Erweiterte Gaskonfiguration wie unter "Gase auf der Gassentischseite (Option)" und "Gase auf der Gassentischseite (Option)" beschrieben ja/nein 15.2 optional angebotene Funktionen Hochtemperatur-Kit (Teileliste + Preis) ja/nein 15.3 optional angebotene Funktionen empfohlenes Ersatzteil-Kit ja/nein 15.4 optional angebotene Funktionen HF-Kalibrierungs-Kit für 27-MHz-Quellengenerator und 13-MHz-Bias-Generator (außer Scheinlast) ja/nein 15.5 optional angebotene Funktionen Vakuumpumpen (Vorvakuumpumpe) für Prozesskammer, sofern nicht generell im System enthalten ja/nein

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Preis
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