Multi-150-mm-Molekularstrahlepitaxieanlage für III-V-Halbleiterschichten
- Status
- Vergeben
- Angebotsfrist
- Nicht angegeben
- Geschätzter Wert
- Nicht angegeben
- Lose
- 1
- Auftraggeber
- Fraunhofer-Gesellschaft, Einkauf B12
- Erfüllungsregion
- Baden-Württemberg, Deutschland
- Verfahren
- Verhandlungsverfahren ohne Aufruf
- Auftragsart
- Lieferleistung
- Veröffentlicht
- 27.08.2026
- CPV-Codes
- Maschinen für allgemeine und besondere Zwecke (42900000)
- Bekanntmachung
- ted.europa.eu
- Bekanntmachungsnummer
- 590687-2026
- Verfahrensnummer
- 43dced52-9ace-4484-b0d3-4058b86e8d2d
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Kurzbeschreibung
Die Fraunhofer-Gesellschaft, Einkauf B12 in München, beschafft eine Multi-150-mm-Molekularstrahlepitaxieanlage. Die Anlage soll das simultane Beschichten mehrerer 150-mm-Wafer mit epitaktischen Heterostrukturen aus antimonidischen und arsenidischen III-V-Halbleiterschichten ermöglichen. Ziel sind Schichten mit höherer Qualität und Reinheit sowie geringerer Defektdichte; Angaben zu Auftragswert und Zeitrahmen liegen nicht vor.
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Leistungsbeschreibung
MBE Anlage - Multi-150-mm-Molekularstrahlepitaxieanlage
Leistungen nach Losen (1)
LOT-0000 · MBE Anlage - Multi-150-mm-Molekularstrahlepitaxieanlage - PR1208516-2050-W
Beschafft werden soll eine Multi 150mm- Molekularstrahlepitaxieanlage zum Wachstum von Antimonidischen und Arsenidischen III-V Halbleiterschichten. Durch die neue Anlage soll zum einen eine höhere Qualität der Schichten erreicht werden und Schichten mit höherer Reinheit und geringerer Defektdichte sollen hergestellt werden. Die Anlage muss in der Lage sein, mehrere 150mm Wafer simultan mit epitaktischen Heterostrukturen zu bedampfen. Die Anlage muss mit Rückziehbaren Aluminiumzellen ausgestatten sein, welche es erlauben das Aluminium während einer Wartung unter UHV Bedingungen eingeschmolzen zu lasdsen. Dies soll zukünftig die Reinheit der Schichten erhöhen.
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LOT-0000 · MBE Anlage - Multi-150-mm-Molekularstrahlepitaxieanlage - PR1208516-2050-W
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