Plasma-gestützte Atomlagenabscheidungsanlage (PE-ALD) für Dünnschichtabscheidung

Das Leibniz-Institut für Photonische Technologien e.V. in Jena beschafft eine Plasma-gestützte Atomlagenabscheidungsanlage (PE-ALD) zur Dünnschichtabscheidung auf Substraten von 5 x 5 mm² bis mindestens 150 mm Wafer. Das System soll reproduzierbare Abscheideprozesse für leitfähige, halbleitende und dielektrische Schichten ermöglichen und mehrlagige Prozesse ohne Vakuumunterbrechung durchführen können. Die Lieferung umfasst einen Steuer-PC mit Monitor, Tastatur, Maus, Software-Lizenzen und Windows 11. Der geschätzte Wert beträgt etwa 461.000 Euro, Bewerbungsfrist ist der 1. September 2026.

KI-Zusammenfassung · Maßgeblich ist die Originalbekanntmachung.

Das Leibniz-Institut für Photonische Technologien e.V. schreibt für die Dünnschichtabscheidung eine Plasma-gestützte Atomlagenabscheidungsanlage (kurz: PE-ALD, engl. Plasma enhanced atomic layer deposition) aus, welche zum Abscheiden von Dünnschichten auf unterschiedlichen Substraten vom Einzelchipformat (5 x 5 mm²) bis mindestens 150 mm Wafer eingesetzt werden soll. Die zentralen Anforderungen an das System sind reproduzierbare Abscheideprozesse verschiedener leitfähiger, halbleitender und dielektrischer Schichten. Diese sollen auch ohne Vakuumunterbrechung (Multilagen) prozessiert werden. Ein Steuer-PC mit Monitor, Tastatur, Maus, entsprechender Software-Lizenzen und aktuellem Betriebssystem (Win 11) ist mitzuliefern.