Anlage zum reaktiven Ionenätzen mit flexiblen Plasma- und Gasprozessen
Freistaat Bayern, vertreten durch die Universität Erlangen-Nürnberg · Erlangen, Deutschland · TED
Zusammenfassung
Der Freistaat Bayern, vertreten durch die Universität Erlangen-Nürnberg in Erlangen, beschafft eine Anlage zum reaktiven Ionenätzen für die Herstellung freistehender Wellenleiter sowie die Bearbeitung von Diamant- und Siliziumkarbid-Proben. Die Anlage soll unterschiedliche Ätzregime, eine aktive Helium-Rückseitenkühlung, schonende Oberflächenätzungen, ein Sauerstoff- und Fluor-Gassystem mit mindestens fünf Leitungen sowie ein Open-Load-Design für kleine und unregelmäßig geformte Proben ermöglichen; außerdem ist die Nachbearbeitung von Defekten durch fokussierten Ionenstrahl vorgesehen. Angebote können bis zum 11. September 2026 eingereicht werden; der Leistungsort liegt in der Region DE252.
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Vergabeunterlagen
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Eigenerklärung.docx
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Präqualifikation (PQ-VOB) vorhanden
PQ-Nummer hinterlegt, gültig bis 12/2026.
Betriebshaftpflicht mind. 3 Mio. € Deckungssumme
Police über 5 Mio. € je Schadensfall.
Drei Referenzen vergleichbarer Größe der letzten 5 Jahre
Zwei Referenzen passen, die dritte liegt knapp darunter.
Eigenerklärung zur Tariftreue liegt vor
Standardformular im Bewerberprofil hinterlegt.
Beschreibung
Für die aktuell am Lehrstuhl durchzuführenden Projekte ist die Herstellung freistehender Wellenleiter mittels "Faraday Cage Etching" zentral. Dieser komplexe Prozess erfordert zwei völlig unterschiedliche Ätzregime in derselben Kammer. Entsprechend werden Entkoppelte Plasmadichte und Ionenenergie (für p-i-n Dioden Integration) benötigt. Weitere Forschungsprojekte erfordern eine aktive Helium-Rückseitenkühlung (für nanophotonische Wellenleiter), um "Fließen" oder Verbrennen des Elektronenstrahl-Resists (E-Beam Lack) zu verhindern. Bei zusätzlichen Projekten sowie bei der Nachbearbeitung von FIB-implantierten Defekten hat die Erhaltung der Kristallqualität oberste Priorität. Hochenergetischer Ionenbeschuss würde das Gitter schädigen und die optische Kohärenz der Farbzentren zerstören. Wichtig ist die schonende Entfernung von Oberflächenschichten ("Soft Etch"), ohne neue Defekte tief in den Kristall einzutragen. Letztlich werden für die Strukturierung der Solid Immersion Lenses (SILs) in Diamant ein reines Sauerstoff-Plasma benötigt, während SiC eine Fluor-Chemie (SF₆/CHF₃) erfordert. Entsprechend notwendig ist eine Gasbox mit mindestens 5 Leitungen für Fluor- und Sauerstoff-Prozesse , um beide Materialklassen ohne Hardware-Umbau bearbeiten zu können. Ein "Open Load"-Design ist zudem für die geplante Arbeitsweise (Bearbeitung kleiner Bruchstück-Proben auf Carrier-Wafern) die technisch sinnvollste Lösung, da es im Gegensatz zu Load-Lock-Systemen keine aufwendige Anpassung von Roboter-Handlingsystemen an irreguläre Probengeometrien erfordert.
Qualifikation
Gemäß § 123, 124 GWB, § 57, 42 Abs. 1 VgV und § 16 VOB/A Gemäß § 56 Abs. 2 VgV, § 51 Abs. 2 SektVO, § 16a Abs. 1 VOB/A-EU. Mögliche Hinweise des Auftraggebers in den Vergabeunterlagen sind zu beachten.
Lose
1 LosFür die aktuell am Lehrstuhl durchzuführenden Projekte ist die Herstellung freistehender Wellenleiter mittels "Faraday Cage Etching" zentral. Dieser komplexe Prozess erfordert zwei völlig unterschiedliche Ätzregime in derselben Kammer. Entsprechend werden Entkoppelte Plasmadichte und Ionenenergie (für p-i-n Dioden Integration) benötigt. Weitere Forschungsprojekte erfordern eine aktive Helium-Rückseitenkühlung (für nanophotonische Wellenleiter), um "Fließen" oder Verbrennen des Elektronenstrahl-Resists (E-Beam Lack) zu verhindern. Bei zusätzlichen Projekten sowie bei der Nachbearbeitung von FIB-implantierten Defekten hat die Erhaltung der Kristallqualität oberste Priorität. Hochenergetischer Ionenbeschuss würde das Gitter schädigen und die optische Kohärenz der Farbzentren zerstören. Wichtig ist die schonende Entfernung von Oberflächenschichten ("Soft Etch"), ohne neue Defekte tief in den Kristall einzutragen. Letztlich werden für die Strukturierung der Solid Immersion Lenses (SILs) in Diamant ein reines Sauerstoff-Plasma benötigt, während SiC eine Fluor-Chemie (SF₆/CHF₃) erfordert. Entsprechend notwendig ist eine Gasbox mit mindestens 5 Leitungen für Fluor- und Sauerstoff-Prozesse , um beide Materialklassen ohne Hardware-Umbau bearbeiten zu können. Ein "Open Load"-Design ist zudem für die geplante Arbeitsweise (Bearbeitung kleiner Bruchstück-Proben auf Carrier-Wafern) die technisch sinnvollste Lösung, da es im Gegensatz zu Load-Lock-Systemen keine aufwendige Anpassung von Roboter-Handlingsystemen an irreguläre Probengeometrien erfordert.
Zuschlagskriterien
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Preis
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