TED·401361-2026

Elektronenstrahl-Verdampfungssystem für die Halbleiterfertigung

Auftragswert
€1.4M
Veröffentlichter Wert
Einreichungsfrist
Leistungsbeschreibung

Was wird ausgeschrieben

Das Ferdinand-Braun-Institut plant die Beschaffung eines Elektronenstrahl-Verdampfungssystems zur Metallabscheidung auf Halbleitersubstraten bis 200 mm Durchmesser. Die Anlage ist für mikro- und nanoelektronische Prozesse im Rahmen des Projekts APECS vorgesehen. Der geschätzte Auftragswert beträgt 1.386.000 EUR.

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Der Auftraggeber beabsichtigt die Durchführung eines Vergabeverfahrens zur Beschaffung eines Elektronenstrahl-Verdampfungssystems für die Halbleiterfertigung. Gegenstand ist die Lieferung einer Anlage zur Metallabscheidung auf Substraten bis 200 mm Durchmesser im Rahmen von mikro- und nanoelektronischen Prozessen. Die Beschaffung dient der Erweiterung der Prozessmöglichkeiten im Bereich der Halbleiter- und Photoniktechnologie im Rahmen des Projekts APECS.

VergabeHero-Einschätzung

Das Ferdinand-Braun-Institut in Berlin sucht ein spezialisiertes Elektronenstrahl-Verdampfungssystem für seine Halbleiterfertigung. Mit dieser Anlage können Metallschichten auf Substraten mit einem Durchmesser von bis zu 200 Millimetern aufgebracht werden, was für die Entwicklung moderner Mikro- und Nanoelektronik sowie Photonik-Technologien entscheidend ist. Die Beschaffung erfolgt im Rahmen des Projekts APECS und umfasst neben der Lieferung auch die Installation und Inbetriebnahme der Anlage. Es handelt sich um eine hochwertige technische Investition für die Forschungsinfrastruktur des Instituts.

Labor- und ForschungsausrüstungIndustrielle AnlagenForschung und EntwicklungÖffentliche VerwaltungHalbleiterindustrieHalbleitertechnikForschungsinfrastrukturNanotechnologieLaborausstattungHochtechnologie
Lose

Aufteilung in Lose

1 Lot
LOT-0001FBH-03 Electron beam evaporation enabling lift-off-processes for 200 mm wafers
€1.4M

Lieferung, Installation und Inbetriebnahme eines Elektronenstrahl-Verdampfungssystems zur Metallabscheidung auf Halbleitersubstraten bis 200 mm. Die Anlage dient der Herstellung von metallischen Schichten für mikro- und nanoelektronische Anwendungen.

CPV 38000000
Zeitleiste

Zeitplan

  1. 11. Juni 2026
    Bekanntmachung veröffentlicht
    Auf TED publiziert
Anhänge

Dokumente & Links

1 Link