Beschaffung eines Atomic Layer Etching Systems (ALE) für die Halbleiterfertigung
Was wird ausgeschrieben
Das Ferdinand-Braun-Institut plant die Beschaffung eines Atomic Layer Etching Systems zur präzisen Ätzung von III-V-Halbleitern. Der Auftrag umfasst die Lieferung, Installation und Inbetriebnahme der Anlage im Rahmen des Projekts APECS. Das Investitionsvolumen beläuft sich auf ca. 944.000 EUR.
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Der Auftraggeber beabsichtigt die Durchführung eines Vergabeverfahrens zur Beschaffung eines Atomic Layer Etching Systems (ALE). Gegenstand der Beschaffung ist die Lieferung, Installation und Inbetriebnahme einer Anlage zur präzisen und materialschonenden Ätzung von III-V-Halbleitern (z. B. InP, InGaP, AlGaAs). Ziel ist die Erweiterung und Weiterentwicklung bestehender Prozessketten im Bereich der Mikro- und Nanostrukturierung im Rahmen des Projekts APECS
Das Ferdinand-Braun-Institut in Berlin sucht ein spezialisiertes System für das sogenannte Atomic Layer Etching (ALE). Dabei handelt es sich um ein hochpräzises Verfahren, mit dem Halbleitermaterialien auf atomarer Ebene geätzt werden können, um extrem feine Strukturen für die Mikro- und Nanotechnologie zu erzeugen. Die Anlage soll im Rahmen des Forschungsprojekts APECS installiert und in Betrieb genommen werden. Der Auftrag richtet sich an spezialisierte Hersteller von Anlagen für die Halbleiterindustrie.
Aufteilung in Lose
1 LotLieferung, Installation und Inbetriebnahme eines Atomic Layer Etching Systems (ALE) zur präzisen und materialschonenden Ätzung von III-V-Halbleitern.
Zeitplan
- 11. Juni 2026Bekanntmachung veröffentlichtAuf TED publiziert