Upgrade eines ALD-Systems zur Abscheidung dielektrischer Schichten

1 ALD-System-Upgrade: Pulsar-Upgrade (1 Kammer an bestehendes Mainframe)/ Pulsar-Upgrade (1 Kammer an bestehendem XP4-Mainframe) Die folgende Spezifikation beschreibt die Anforderungen an ein Teil eines Anlagen-Upgrades zur Abscheidung von dielektrischen Schichten (dotiertem) HfO2 mittels thermischer ALD-Verfahren auf Wafern mit einem Durchmesser von 300 mm. Es wird gefordert, dass das Gerät kontinuierlich die vorgesehenen Funktionen in Übereinstimmung mit allen in dieser EPS spezifizierten Anforderungen ohne Fehlfunktionen oder Ausfälle ausführt. Darüber hinaus muss das Gerät mit allen nachfolgend beschriebenen Komponenten und Teilen geliefert werden, die notwendig sind, damit das Gerät die vorgesehenen Funktionen und Fähigkeiten gemäß allen in dieser EPS genannten Anforderungen erfüllen kann. Die zweite Pulsar-Kammer von ASM als Upgrade muss mit dem vorhandenen Mainframe "XP4" und den bereits vorhandenen Kammern "Pulsar" und "EmerALD" kompatibel sein. Optionale Leistungspositionen / Optionen der Produkt- / Leistungsbeschreibung: 2.2.1.1.1 Grundausstattung ein zusätzlicher Loadport im Front End Interface (300mm, SEMI E184) ja / nein 2.2.1.1.5 Basiskonfiguration Waferrotation/Waferindexer in Prozesskammer für bessere Homogenitätswerte vorhanden ja / nein 2.2.1.1.7 Basiskonfiguration Insitu-Ellipsometer-Einbauöffnungen an der Kammer ja / nein 2.2.1.1.9 Grundkonfiguration Das Front End Interface ist mit einem Notch Aligner ausgestattet. Dieser verfügt über einen programmierbaren Kerbwinkel mit einer Genauigkeit von ≤0.5º für die Kerbe und ≤0.1mm für die Zentrierung ja / nein 2.2.1.2.5 Kassetten- und Waferspezifikation - Wafermaterial Quarzwafer (Abmessungen gemäß 2.2.1.2.6 -2.2.1.2.10) ja / nein 2.2.2.8 Optionaler Pulsar-Vorschlag für alternative Al-Quellen ja/nein .2.2.9 Pulsar BKM Prozess und Dokumentation für die thermische ALD von Ta2O3 mit Halogenid-Precursor inklusive Vorschläge für bereitzustellende Precursor ja/nein 2.2.2.13 Pulsar Option für dritte beheizte Precursorquelle "falls kein Hig verfügbar, alternative Lieferung von Heizmantel für Precursorquelle und Leitungen; ja/nein" 2.2.3.1 Subtools Pumpen sind im Angebot enthalten. ja/nein 2.2.3.4 Unterwerkzeuge erforderlich Ozonisator ja/nein 4.3.2.16 Prozessabnahme-Tests Prozesstest: 10nm HfO2 auf 3D-Wafern mit HfCl4 und metallorganischen Hf-Vorläufern (z.B. HyALD) "Prüfung der Stufenbedeckung in einer tiefen Grabenstruktur, so dass mindestens 70-80% der Bedeckungsdicke im Boden eines Grabens für Seitenverhältnisse 1:20 erreicht werden; ja/nein" 4.8.1 Gawährleistungsverlängerung Bitte bieten Sie eine Verlängerung der Gewährleistung um weitere 12 Monate an. Während der Gewährleistungszeit sind alle Support-, Reparatur- und Ersatzteilkosten abgedeckt und kostenlos. ja / nein 5.1.2 Anforderungspositionen, die angeboten werden sollen Set von Verbrauchsmaterialien (Lampen, Ventile, etc., Kammer- und Prozess-Kits) ja/nein 5.1.3 Anforderungspositionen, die angeboten werden sollen Offline-Rezepturverwaltungssystem ja/nein 5.2.2 Allgemeine Optionen Energieverbrauchserfassungssystem (z.B. Stromzähler) ja/nein 5.2.4 Allgemeine Optionen Angebot und Zeitplan für neue LPV-Gefäßkonfiguration Nachrüstung für bestehende Pulsar-Kammer als Upgrade ja/nein 5.2.5 Allgemeine Optionen Angebot für neue Verbrauchsmaterialien für die alte Pulsar-Kammer (Lampen, Ventile, etc., Kammer- und Prozess-Kits) ja/nein