System für Plasmaätzprozesse (High Aspect Ratio Etch) für 300 mm Wafer
Was wird ausgeschrieben
Die Fraunhofer-Gesellschaft beschafft ein vollautomatisches Plasmaätzsystem für die Bearbeitung von 300 mm Silizium-Wafern in einer Reinraumumgebung. Das System umfasst ein Mainframe sowie Prozesskammern und ist für den Einsatz in der Halbleiterfertigung konzipiert. Die Vertragslaufzeit beträgt 690 Tage.
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System for High Apect Ratio Etch consisting of mainframe and process chambers (IPMS-CNT05.1)
Die Fraunhofer-Gesellschaft sucht ein hochspezialisiertes Plasmaätzsystem, das für die Bearbeitung von 300 mm Silizium-Wafern in einer Reinraumumgebung (Klasse 6) eingesetzt wird. Das Gerät besteht aus einem zentralen Mainframe und mehreren Prozesskammern, die für komplexe Ätzstrukturen mit hohem Aspektverhältnis ausgelegt sind. Da es sich um ein hochkomplexes technisches Gerät für die Forschung und Entwicklung handelt, liegt der Fokus bei der Vergabe zu 65 Prozent auf der technischen Qualität und der Lieferzeit, während der Preis mit 35 Prozent gewichtet wird. Der Auftrag hat eine Laufzeit von etwa 23 Monaten.
Zentrale Anforderungen
2 Punkte- Einhaltung der nationalen Ausschlussgründe
- Eignung gemäß den in den Vergabeunterlagen spezifizierten Anforderungen
KI-zusammengefasst aus den offiziellen Eignungsanforderungen.
Eignungskriterien (Volltext)
Es gelten alle einschlägigen zwingenden wie fakultativen Ausschlussgründe, die durch nationales Recht normiert sind. All relevant mandatory and optional grounds for exclusion stipulated by national law apply. Siehe Vergabeunterlagen See procurement documents
Aufteilung in Lose
1 Lot1 Stück System for High Apect Ratio Etch consisting of mainframe and process chambers (IPMS-CNT05.1) Die Spezifikation beschreibt die Anforderungen an ein vollautomatisches Prozessgerät, das für Plasmaätzprozesse auf Wafern mit einem Durchmesser von 300 mm eingesetzt werden soll. Die Systeme werden für die Bearbeitung von Silizium-CMOS-Wafern in einer Produktionsumgebung der Reinraumklasse 1000 (entspricht in etwa Klasse 6 nach EN ISO 14644-1) eingesetzt. Das neue Werkzeug soll zur Strukturierung von Strukturen mit hohem Aspektverhältnis in Silizium sowie in allen damit verbundenen erforderlichen Materialien (z. B. SiO₂, SiN) eingesetzt werden, um dieses Hauptziel zu erreichen. Optionale Positionen gemäß Technical Tender Specification.
Zuschlagskriterien
3 Kriterien- quality55%
Technische Ausführung
- quality10%
Verbindliche Lieferzeit
- price35%
Preis
Zeitplan
- 20. Juli 2026Bekanntmachung veröffentlichtAuf TED publiziert
- 15. Juli 2026EinreichungsfristElektronische Einreichung