System für Plasmaätzen mit hohem Aspektverhältnis (High Aspect Ratio Etch)
Was wird ausgeschrieben
Die Fraunhofer-Gesellschaft beschafft ein vollautomatisches Prozessgerät für Plasmaätzprozesse auf 300-mm-Wafern. Das System ist für den Einsatz in einer Reinraumumgebung der Klasse 6 vorgesehen und dient der Strukturierung von Silizium-CMOS-Wafern. Die Vertragslaufzeit beträgt 690 Tage.
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System for High Apect Ratio Etch consisting of mainframe and process chambers (IPMS-CNT05.1)
Die Fraunhofer-Gesellschaft sucht ein hochspezialisiertes System für das sogenannte Plasmaätzen mit hohem Aspektverhältnis. Dabei handelt es sich um ein industrielles Fertigungsgerät, das in der Halbleiterproduktion eingesetzt wird, um sehr feine Strukturen auf Silizium-Wafern mit einem Durchmesser von 300 Millimetern zu erzeugen. Das Gerät muss für den Betrieb in einer Reinraumumgebung der Klasse 6 ausgelegt sein, was extrem hohe Anforderungen an die Partikelreinheit und Präzision stellt. Der Auftrag umfasst die Lieferung und Inbetriebnahme des Systems über einen Zeitraum von etwa 23 Monaten.
Zentrale Anforderungen
2 Punkte- Einhaltung der nationalen Ausschlussgründe
- Eignung gemäß Vergabeunterlagen
KI-zusammengefasst aus den offiziellen Eignungsanforderungen. Verbindlich ist der Originaltext unten.
Eignungskriterien (Volltext)
Es gelten alle einschlägigen zwingenden wie fakultativen Ausschlussgründe, die durch nationales Recht normiert sind. All relevant mandatory and optional grounds for exclusion stipulated by national law apply. Siehe Vergabeunterlagen See procurement documents
Aufteilung in Lose
1 Lot1 Stück System for High Apect Ratio Etch consisting of mainframe and process chambers (IPMS-CNT05.1) Die Spezifikation beschreibt die Anforderungen an ein vollautomatisches Prozessgerät, das für Plasmaätzprozesse auf Wafern mit einem Durchmesser von 300 mm eingesetzt werden soll. Die Systeme werden für die Bearbeitung von Silizium-CMOS-Wafern in einer Produktionsumgebung der Reinraumklasse 1000 (entspricht in etwa Klasse 6 nach EN ISO 14644-1) eingesetzt. Das neue Werkzeug soll zur Strukturierung von Strukturen mit hohem Aspektverhältnis in Silizium sowie in allen damit verbundenen erforderlichen Materialien (z. B. SiO₂, SiN) eingesetzt werden, um dieses Hauptziel zu erreichen. Optionale Positionen gemäß Technical Tender Specification.
Zuschlagskriterien
3 Kriterien- quality55%
Technische Ausführung
- quality10%
Verbindliche Lieferzeit
- price35%
Preis
Zeitplan
- 11. Juni 2026Bekanntmachung veröffentlichtAuf TED publiziert
- 15. Juli 2026EinreichungsfristElektronische Einreichung