PVD-Metallsystem fuer QMI-Verbindungen
Was wird ausgeschrieben
Die Fraunhofer-Gesellschaft beschafft ein PVD-Metallsystem zur Abscheidung von Metallschichten auf 200-mm-Wafern. Das System ist für zwei spezifische Prozesslinienanwendungen im Bereich der MEMS-Chiplet-Integration und QMI-Metallisierung vorgesehen. Es handelt sich um eine spezialisierte Labor- bzw. Fertigungsausrüstung für den Standort Dresden.
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PVD metal system for QMI connection (IPMS-MRS12.1)
Die Fraunhofer-Gesellschaft sucht ein hochspezialisiertes PVD-Metallsystem (Physical Vapor Deposition) für Forschungs- und Entwicklungszwecke am Standort Dresden. Das Gerät wird für das Sputtern von Metallen wie Aluminium und Titan sowie für Ätzprozesse auf 200-mm-Wafern eingesetzt, um komplexe Halbleiterstrukturen wie MEMS-Chiplets zu fertigen. Da es sich um eine hochkomplexe technische Anlage für die Mikroelektronik handelt, liegt der Fokus bei der Vergabe zu 65 Prozent auf der technischen Qualität und zu 35 Prozent auf dem Preis. Das System ist für zwei spezifische Prozesslinien in der Halbleiterfertigung konzipiert.
Aufteilung in Lose
1 Lot1 Stück PVD metal system for QMI connection (IPMS-MRS12.1) Ausrüstung für das Sputtern von AlCu, Al, Ti/TiN und das Rückätzen in unabhängigen Kammern mit planaren Targets über 200-mm-Wafern. Dieses System ist für zwei Prozesslinienanwendungen erforderlich. Eine Anwendung ist die Abscheidung einer Metallfüllung im Inneren von TSV für die fortschrittliche Integration von MEMS-Chiplets. Das zweite Anwendungsszenario ist die Metallsystem- oder Frontside-TSV-Füllungsabscheidung für QMI-Metallisierungsysteme. In beiden Anwendungen ist die konforme Abscheidung der Barriere erforderlich, um eine optimale Kontaktqualität zu erzielen. Optionale Leistungspositionen: 2.4 Handlingsystem Das Werkzeug ist in der Lage, zwei verschiedene Sequenzen gleichzeitig zu bearbeiten. ja/nein 2.9 Handlingsystem Möglichkeit zur Kantenbearbeitung ja/nein 3.6 Kassetten/Wafer-Spezifikationen Verarbeitung von Quarz-Wafern gemäß den oben genannten Spezifikationen ja/nein 4.5 Prozesssystem HF-Generatoren mit automatischem Anpassungsnetzwerk zum Anlegen einer Substratvorspannung in der Kammer für alle anderen Sputterkammern "100 - 600 W; ja/nein" 4.16 Prozesssystem Das Gerät ist mit einer Entgasungsstation ausgestattet. "Chuck temperature 200°C; yes/no" 4.17 Process System Das Gerät ist mit einer Wafer-Pufferstation ausgestattet. "Wafermenge im Puffer ≥6; ja/nein" 4.19 Prozesssystem Chucktemperatur in Prozesskammer für Prozess "Ätzen" "< 20°C; ja/nein" 19.6 Gewährleistungsverlängerung Verlängerung der Gewährleistung um weitere 12 Monate. ja/nein 21.9 Betriebszeit/Reparatur/Zuverlässigkeit Satz von Verschleißteilen (Lampen, O-Ringe, Ventile usw.) zur Abdeckung der Grundgarantiezeit ja/nein
Zuschlagskriterien
2 Kriterien- quality65%
Technische Ausführung
- price35%
Preis
Zeitplan
- 28. Mai 2026Bekanntmachung veröffentlichtAuf TED publiziert