Beschaffung eines Sputter-Deposition-Systems für Halbleiterfertigung
Was wird ausgeschrieben
Das Ferdinand-Braun-Institut plant die Beschaffung eines Sputter-Deposition-Systems zur Abscheidung dünner Schichten auf Halbleiter-Wafern bis 200 mm Durchmesser. Das System soll im Rahmen des APECS-Programms für heterogene Integrationstechnologien eingesetzt werden. Die Ausschreibung ist für das Jahr 2026 vorgesehen.
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The Ferdinand-Braun-Institut (FBH) plans to procure a sputter deposition system within the framework of the EU-funded APECS programme. The system will be used for the deposition of metallic and insulating thin films on semiconductor wafers with diameters of up to 200 mm. It is intended to support advanced heterogeneous integration technologies, including InP-on-Si (BiCMOS) platforms. The equipment shall enable highly controlled thin-film processes such as metallization, interconnect formation, passivation and barrier layer deposition. A multi-chamber cluster system with integrated cleaning and deposition capabilities is required to ensure high process quality and contamination control. The system will be installed in a cleanroom environment and must be compatible with semiconductor manufacturing requirements. The procurement procedure is planned for 2026.
Das Ferdinand-Braun-Institut in Berlin sucht ein hochpräzises Sputter-Deposition-System, eine spezielle Anlage zur Beschichtung von Halbleiter-Wafern mit Metallen oder Isolatoren. Diese Technologie ist entscheidend für die Herstellung moderner Mikrochips und wird in einer Reinraumumgebung installiert. Das Gerät muss komplexe Prozesse wie die Metallisierung und die Bildung von Schutzschichten beherrschen und ist Teil eines Forschungsprojekts zur Halbleiterintegration. Die offizielle Ausschreibung für dieses Investitionsvorhaben ist für das Jahr 2026 geplant.
Aufteilung in Lose
1 LotThe Ferdinand-Braun-Institut (FBH) plans to procure a sputter deposition system within the framework of the EU-funded APECS programme. The system will be used for the deposition of metallic and insulating thin films on semiconductor wafers with diameters of up to 200 mm. It is intended to support advanced heterogeneous integration technologies, including InP-on-Si (BiCMOS) platforms. The equipment shall enable highly controlled thin-film processes such as metallization, interconnect formation, passivation and barrier layer deposition. A multi-chamber cluster system with integrated cleaning and deposition capabilities is required to ensure high process quality and contamination control. The system will be installed in a cleanroom environment and must be compatible with semiconductor manufacturing requirements. The procurement procedure is planned for 2026.
Zeitplan
- 11. Juni 2026Bekanntmachung veröffentlichtAuf TED publiziert