Laser-Fertigungssystem für die Wafer-Bearbeitung
Was wird ausgeschrieben
Das Ferdinand-Braun-Institut plant die Beschaffung eines laserbasierten Fertigungssystems für die fortschrittliche Wafer-Bearbeitung. Das System soll verschiedene opto-mechanische Prozesse wie Trennen, Bohren und Ablation für unterschiedliche Halbleitermaterialien bis zu einer Größe von 200 mm ermöglichen. Die Installation ist für eine Reinraumumgebung der ISO-Klasse 5 vorgesehen.
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The Ferdinand-Braun-Institut (FBH) plans to procure a laser-based manufacturing system for advanced wafer processing within the framework of the EU-funded APECS programme. The system will be used for various opto-mechanical processing steps, including wafer dicing, laser ablation of thin layers, via drilling for backside processes, and laser-based decomposition of bonding layers. It shall be capable of processing different semiconductor materials such as SiC, GaN, Si, GaAs and InP for wafer sizes up to 200 mm. The equipment is intended to significantly expand the institute’s capabilities in high-precision wafer processing. It will be installed in a cleanroom environment and must comply with ISO class 5 requirements, including laser protection class 1. The procurement procedure is planned for 2026
Das Ferdinand-Braun-Institut in Berlin sucht ein hochpräzises Laser-System, um seine Kapazitäten in der Halbleiterfertigung zu erweitern. Das Gerät soll verschiedene Materialien wie Siliziumkarbid oder Galliumnitrid bearbeiten können und wird in einem Reinraum der ISO-Klasse 5 betrieben. Da es sich um eine Vorinformation handelt, bereitet das Institut den Markt auf eine geplante Ausschreibung im Jahr 2026 vor. Das System muss zudem strengen Sicherheitsvorgaben der Laser-Schutzklasse 1 entsprechen.
Aufteilung in Lose
1 LotThe Ferdinand-Braun-Institut (FBH) plans to procure a laser-based manufacturing system for advanced wafer processing within the framework of the EU-funded APECS programme. The system will be used for various opto-mechanical processing steps, including wafer dicing, laser ablation of thin layers, via drilling for backside processes, and laser-based decomposition of bonding layers. It shall be capable of processing different semiconductor materials such as SiC, GaN, Si, GaAs and InP for wafer sizes up to 200 mm. The equipment is intended to significantly expand the institute’s capabilities in high-precision wafer processing. It will be installed in a cleanroom environment and must comply with ISO class 5 requirements, including laser protection class 1. The procurement procedure is planned for 2026.
Zeitplan
- 11. Juni 2026Bekanntmachung veröffentlichtAuf TED publiziert