Plasma-gestützte Atomlagenabscheidungsanlage (PE-ALD)
Was wird ausgeschrieben
Das Leibniz-Institut für Photonische Technologien in Jena beschafft eine PE-ALD-Anlage zur Dünnschichtabscheidung auf Substraten bis zu 150 mm Wafergröße. Das System muss reproduzierbare Prozesse für leitfähige, halbleitende und dielektrische Schichten ohne Vakuumunterbrechung ermöglichen. Die Lieferung umfasst zudem die notwendige Steuerungs-Hardware und Software.
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Das Leibniz-Institut für Photonische Technologien e.V. schreibt für die Dünnschichtabscheidung eine Plasma-gestützte Atomlagenabscheidungsanlage (kurz: PE-ALD, engl. Plasma enhanced atomic layer deposition) aus, welche zum Abscheiden von Dünnschichten auf unterschiedlichen Substraten vom Einzelchipformat (5 x 5 mm²) bis mindestens 150 mm Wafer eingesetzt werden soll. Die zentralen Anforderungen an das System sind reproduzierbare Abscheideprozesse verschiedener leitfähiger, halbleitender und dielektrischer Schichten. Diese sollen auch ohne Vakuumunterbrechung (Multilagen) prozessiert werden. Ein Steuer-PC mit Monitor, Tastatur, Maus, entsprechender Software-Lizenzen und aktuellem Betriebssystem (Win 11) ist mitzuliefern.
Das Leibniz-Institut für Photonische Technologien in Jena sucht eine spezialisierte Anlage für die sogenannte Plasma-gestützte Atomlagenabscheidung (PE-ALD). Mit dieser Technik können extrem dünne Schichten auf Materialien wie kleinen Chips oder Wafern (Siliziumscheiben) aufgetragen werden, was für die Forschung an neuen Halbleitern und optischen Bauteilen essenziell ist. Die Anlage muss in der Lage sein, verschiedene Materialschichten nacheinander aufzubringen, ohne dass das Vakuum im Inneren unterbrochen werden muss. Zum Lieferumfang gehört neben der Hardware auch der passende Steuerungs-PC inklusive Software. Das Projekt wird durch EU-Mittel gefördert.
Aufteilung in Lose
1 LotDas Leibniz-Institut für Photonische Technologien e.V. schreibt für die Dünnschichtabscheidung eine Plasma-gestützte Atomlagenabscheidungsanlage (kurz: PE-ALD, engl. Plasma enhanced atomic layer deposition) aus, welche zum Abscheiden von Dünnschichten auf unterschiedlichen Substraten vom Einzelchipformat (5 x 5 mm²) bis mindestens 150 mm Wafer eingesetzt werden soll. Die zentralen Anforderungen an das System sind reproduzierbare Abscheideprozesse verschiedener leitfähiger, halbleitender und dielektrischer Schichten. Diese sollen auch ohne Vakuumunterbrechung (Multilagen) prozessiert werden. Ein Steuer-PC mit Monitor, Tastatur, Maus, entsprechender Software-Lizenzen und aktuellem Betriebssystem (Win 11) ist mitzuliefern.
Zuschlagskriterien
2 Kriterien- quality70%
technische Spezifikationen
- price30%
Preis
Zeitplan
- 8. Juli 2026Bekanntmachung veröffentlichtAuf TED publiziert
- 11. Aug. 2026EinreichungsfristElektronische Einreichung