i-line-Stepper-Belichtungssystem für die Halbleiterfertigung

1 Stück i-line-Stepper-Belichtungssystem (IISB.WP4.5) Es wird ein eigenständiges i-line-Schrittbelichtungssystem gesucht. Dieses wird für die Strukturübertragung durch selektive Belichtung von UV-lichtempfindlichen Fotolacksystemen durch eine reduzierende Fotomaske verwendet. Die UV-Strahlung soll durch eine Quecksilberdampflampe oder eine LED-Lichtquelle erzeugt werden. Optionen: 2.7 Option zur Anpassung zwischen Vorder- und Rückseite. Bitte geben Sie die erreichbare Überlagerungsgenauigkeit zwischen der Vorder- und Rückseite sowie Informationen zu den Substratbedingungen an, die die Anpassung zwischen Vorder- und Rückseite ermöglichen oder einschränken (z. B. Material, Waferdicke usw.). 2.9 LED als Lichtquelle oder Umrüstung der Quecksilberbogenlampe auf eine LED-Lichtquelle innerhalb von 10 Jahren nach Lieferung. 3.3 Bearbeitung von 100-mm-Substraten mit den in 3.3.1 - 3.3.x aufgeführten Substrateigenschaften. Die Bewertung der folgenden Punkte basiert auf dem Aufwand, der erforderlich ist, um die 150- und 200-mm-Bearbeitung ("Standardmaterial") auf die 100-mm-Wafer-Bearbeitung umzustellen. Je kürzer die Umstellungszeiten, desto besser. Bitte geben Sie Informationen zur durchschnittlichen Dauer und zum Aufwand für die Umstellung an. 3.3 Bearbeitung von 100-mm-Substraten mit den in 3.3.1 - 3.3.x aufgeführten Substrateigenschaften. Die Bewertung der folgenden Punkte basiert auf dem Aufwand, der erforderlich ist, um die 150- und 200-mm-Bearbeitung ("Standardmaterial") auf die 100-mm-Waferbearbeitung umzustellen. Je kürzer die Umstellungszeiten, desto besser. Bitte geben Sie Auskunft über die durchschnittliche Dauer und den Aufwand für die Umstellung. 3.3.1 Automatische Handhabung (einschließlich Be- und Entladevorgang), Ausrichtung (einschließlich "Flat Align": Automatisches Laden mit Vorausrichtung der Wafer und Flat Align 3σ ≤ 10 µm) und Bearbeitung (erste Belichtung und Belichtung mit Vorausrichtung) für 100-mm-Substrate mit Substratdicken von 200-1650 µm (± 25 µm) aus transparenten, halbtransparenten oder opaken Materialien wie Glas, Siliziumkarbid und Silizium. 3.3.2 Handhabung und Verarbeitung von Substratmaterialien, die nicht ausdrücklich in den Punkten 3.1 bis 3.3.1 aufgeführt sind (z. B. Glas, GaN, Ge), mit Substratgrößen und -dicken sowie Verformungen gemäß den in 3.1 bis 3.3.1 festgelegten Spezifikationen, einschließlich automatischer Beladung mit Vorausrichtung der Wafer und flacher Ausrichtung 3σ ≤ 10 µm. Je mehr Substratvarianten verarbeitet werden können, desto besser. Bitte geben Sie an, unter welchen Bedingungen diese Substrate zuverlässig verarbeitet werden können. 3.3.3 Handhabung und Verarbeitung von Substraten, die nicht ausdrücklich in den Punkten 3.1 bis 3.3.2 aufgeführt sind (z. B. 125-mm-Wafer, Waferfragmente, rechteckige Substrate usw.), einschließlich automatischer Beladung mit Vorausrichtung der Wafer und Flachausrichtung 3σ ≤ 10 µm. Die Bewertung basiert auf dem Aufwand und der Dauer des Umstellungsprozesses; je kürzer/geringer, desto besser. Bitte beschreiben Sie die erforderlichen Arbeiten und die durchschnittliche Umrüstungsdauer sowie die Bedingungen, unter denen diese Substrate zuverlässig verarbeitet werden können (z. B. mit einem Trägersystem). 3. "Kompatibilität des Handhabungssystems mit den folgenden Kassettenmodellen: 100-mm-Substrate: Typennummer A72-39M-06, Material: Fluoroware PFA" 6.1.1 GEM300-Anschluss 6.2.3 Der Computer muss in die bestehende Windows-AD-Domäne integrierbar sein 6.2.4 Fernzugriff zur Überwachung und Fernsteuerung des Systems 6.2.6 Offline-Version der Software zur Vorbereitung von Belichtungsaufträgen