Hochtemperatur- und LP-CVD-Anlage für Mikrosystemtechnik und Nanotechnologie

Status
Offen
Angebotsfrist
26.11.2026, 09:00 (Europe/Berlin)
Geschätzter Wert
Nicht angegeben
Lose
1
Erfüllungsregion
Sachsen, Deutschland
Verfahren
Offenes Verfahren
Auftragsart
Lieferleistung
Veröffentlicht
22.10.2026
CPV-Codes
Anzeigen
  • Industrielle Maschinen (42000000)
  • Maschinen für die Wärmebehandlung von Stoffen (42940000)
  • Öfen und Zubehör (42942000)
Bekanntmachung
dtvp.de
Bekanntmachungsnummer
731956-2026
Verfahrensnummer
ec331272-b018-457b-b755-33fff05b1bf7

Fragenkatalog

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Kurzbeschreibung

Die Westsächsische Hochschule Zwickau beschafft eine Hochtemperaturanlage mit acht Prozessstationen beziehungsweise Rohren und Beladeeinrichtungen für Hochtemperatur- und LP-CVD-Prozesse (Niederdruck-Chemische-Gasphasenabscheidung), vorwiegend für monokristalline Siliziumwafer. Die Anlage ist für den Standort Zwickau vorgesehen; Angebote müssen bis zum 26. November 2026 eingereicht werden.

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Leistungsbeschreibung

Hochtemperatur/ LP-CVD System für Mikrosystemtechnik und Nanotechnologie

Leistungen nach Losen (1)

  • LOT-0001 · Hochtemperatur/ LP-CVD System für Mikrosystemtechnik und Nanotechnologie

    1 STK Hochtemperaturanlage mit 8 Prozessstationen / Rohren mit Beladeeinrichtungen für Hochtemperatur- und LP-CVD Prozesse, vorwiegend für monokristalline Siliziumwafer. - Footprint der Gesamtanlage nicht größer als 400cm x 600cm x 295cm (L x B x H). - Besteht das Gesamtsystem aus mehreren Einzelanlagen / Teilen müssen alle Anlagen innerhalb des angegebenen Footprints aufgestellt werden können. - Vom angegebenen Footprint ausgenommen sind ausschließlich eine etwaige Bedienkonsole, diese darf separat auf einem max. 180cmx80cm messenden Tisch untergebracht werden und die Vakuum-Pumpen, welche innerhalb eines Service-Bereichs untergebracht werden dürfen. - Bei zwei gekoppelten Einzelanlagen: ist eine an der Rückwand gespiegelte Konfiguration (eine Anlage mit Beladestationen rechts, eine Anlage mit Beladestationen links) vorzusehen - Alle 8 Prozessstationen sind auf die parallele Bearbeitung von mindestens 13 Stück Wafer pro Prozess auszulegen. - Die verarbeitbaren Durchmesser der Wafer sind mindestens: o 150mm und o 100mm - Die Prozessstationen sind als horizontal angeordnete Prozessrohre mit jeweils einem Quarz- oder SiC-Rohr und jeweils einer automatischen/motorisierten Beladestation vorzusehen. - Der Ausleger (Paddle) zur Beladung ist aus Siliciumcarbid auszuführen. - Die Beladestation(en) sind mit Luftfiltereinheit(en) mit laminarer Luftströmung vorzusehen. - Jede Prozessstation ist mit jeweils mindestens 3 Temperaturregelzonen pro Prozessrohr auszuführen. - Jedes LP - CVD Prozessrohr ist mit einem integrierten Leckratetest / Druckverlustprofiling zu realisieren. - Innerhalb der Bearbeitungszone der min. 13 Prozesswafer (Flat-Zone) ist im Prozess eine Temperaturabweichung vom Sollwert von höchstens +/-1 K und eine Soll-Temperaturabweichung von Run zu Run höchstens +/-1 K zu erzielen. - Mindestens ein geeignetes Thermoelement pro Temperaturregelzone zur Prozessüberwachung und -regelung muss vorhanden sein. - Mindestens ein geeignetes Thermoelement pro Temperaturregelzone als Ausfallsicherung muss vorhanden sein. - Mindestens ein Profilthermoelement pro Prozessstation - Geeignete Messeinrichtungen zur Anlagenüberwachung und Steuerung in Bezug die technische Sicherheit (z.B. Übertemperaturabschaltung, Abluftausfall, Kühlwasserausfall, Gasversorgungsausfall, redundante Interlocks...) müssen vorhanden sein. - In den Gaskabinetten ist eine Prozessgaszuführung und -verteilung, Prozessgassteuerung und -überwachung nach Stand der Technik, abgestimmt auf die Eigenschaften der für die Prozessstationen spezifizierten Prozessgase und Flüssigkeiten zu realisieren. - Absaugung / Scavenger an der Prozessstation - Anlagensteuerung(en) mit Monitor und Benutzerschnittstelle, spätestens nach Ablauf der Garantie müssen alle Benutzer- und Servicelevel für die WHZ zugänglich dauerhaft sein werden - mehrere Prozessstationen können in einer Steuerung/Benutzerschnittstelle zusammengefasst werden - Bei Störung muss die Anlage selbsttätig in einen sicheren Zustand übergehen, wenn dazu eine unterbrechungsfreie Stromversorgung notwendig ist, ist diese mit zu inkludieren. - Maschinen Not-Aus Schalter, gesichert gegen Wiederanschalten - CE Zertifikat und CE Kennzeichnung für Gesamtanlage - Einhaltung der EU-Maschinenrichtlinie (2006/42/EC / oder 2023/1230, je nach Auslieferungsdatum), wo anwendbar - Vollständige Anlagendokumentation. 1 STK Prozessstation, Oxidation, n-Typ-Substrate - Dauerprozesstemperatur mindestens 1050°C - Quarz oder SiC Prozessrohr - Komplettes Gaszufuhrsystem mit Massenstromregelung für: Stickstoff, Wasserstoff, Sauerstoff, Dichlorethylen mit N2 Trägergas - Wasserstoff/Sauerstoff-Verbrenner zur Erzeugung von H2O und Injektion in den Ofen ("External Torch"), Überwachung und Sicherheitseinrichtungen nach Stand der Technik - Automatisiert, über die Anlage angesteuerter Bubbler mit Temperierung für 1,2-Dichlorethylen, 1500mL "Fuji"- kompatibel oder mitgelieferter Quarzbubbler. - Quartz Baffle / Diffusor, falls zur Erreichung der von Lieferer zu spezifizierenden Homogenität nötig 1 STK Prozessstation, Oxidation, p-Typ Substrate - Dauerprozesstemperatur mindestens 1050°C - Quarz oder SiC Prozessrohr - Komplettes Gaszufuhrsystem mit Massenstromregelung für: Stickstoff, Wasserstoff, Sauerstoff, Dichlorethylen mit N2 Trägergas - Wasserstoff/Sauerstoff-Verbrenner zur Erzeugung von H2O und Injektion in den Ofen ("External Torch"), Überwachung und Sicherheitseinrichtungen nach Stand der Technik - Automatisiert, über die Anlage angesteuerter Bubbler mit Temperierung für 1,2-Dichlorethylen, 1500mL "Fuji"- kompatibel oder mitgelieferter Quarzbubbler. - Quartz Baffle / Diffusor, falls zur Erreichung der von Lieferer zu spezifizierenden Homogenität nötig 1 STK Prozessstation, n-Dotierung - Prozesstemperatur mindestens 1000°C - Quarz oder SiC Prozessrohr, Phosphoroxychlorid Injektor und kompatibler Abgasstrang - Komplettes Gaszufuhrsystem mit Massenstromregelung für: Stickstoff, Sauerstoff und Phosphoroxychlorid mit N2 Trägergas - Bubbler für Phosphoroxychlorid, 1500mL "Fuji"- kompatibel oder mitgelieferter Quarzbubbler. - Baffle für Phosphoroxychlorid, dieser kann in Tür integriert sein, falls zur Erreichung der von Lieferer zu spezifizierenden Homogenität nötig - Separate Abgasführung mit Abscheider/Kondensor für Phosphorsäure 1 STK Prozessstation, p-Dotierung - Prozesstemperatur mindestens 1050°C - Quarz oder SiC Prozessrohr - Komplettes Gaszufuhrsystem mit Massenstromregelung für: Stickstoff, Sauerstoff, BBr3 mit N2 als Trägergas - BBr3 Injektor und kompatibler Abgasstrang - Bubbler für BBr3, 1500mL "Fuji"- kompatibel oder mitgelieferter Quarzbubbler. - Baffle für BBr3, falls zur Erreichung der von Lieferer zu spezifizierenden Homogenität nötig 1 STK Prozessstation, Oxidation - Dauerprozesstemperatur mindestens 1050°C - Quarz oder SiC Prozessrohr - Komplettes Gaszufuhrsystem mit Massenstromregelung für: Stickstoff, Wasserstoff, Sauerstoff, Dichlorethylen mit N2 Trägergas

    Frist: 26.11.2026, 01:00 (Europe/Berlin)

Anforderungen an deinen Betrieb

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LOT-0001 · Hochtemperatur/ LP-CVD System für Mikrosystemtechnik und Nanotechnologie

Preiskriterium
30 %
Erfüllung der Leistungsparameter
60 %
Lieferzeit
10 %

Vergabeunterlagen

20 Dateien laut Portal · Stand 22.10.2026
FB 01 - Aufforderung Abgabe Angebot.docxAnschreiben38 KB
FB 02 - Bewerbungsbedingungen VgV.docxAnschreiben30 KB
FB 02.1 - Angaben zum Vergabeverfahren VgV.docxSonstiges59 KB
FB 04 - Besondere Vertragsbedingungen.docxVertragsbedingungen32 KB
FB 05 - Übersicht der Bewertungskriterien.docxSonstiges29 KB
FB 06 - Angaben zur Leistung.docxSonstiges33 KB
FB 07 - Einkaufsbedingungen der WHZ .docxSonstiges22 KB
FB 08 - VOL Teil B.docxSonstiges44 KB
FB 09 - Liste einzureichender Unterlagen zur Ausschreibung.docxSonstiges28 KB
FB 10 - Erklärung gesetzlicher Mindestlohn.docxFormular20 KB
FB 11 - Bürgschaftsurkunde für Vorauszahlungen.docxSonstiges29 KB
FB 12 - Information Datenschutz.docxSonstiges38 KB
FB 20 - Eigenerklärung zur Eignung des Bieters.docxFormular51 KB
FB 21 - Angebotsschreiben.docxAnschreiben41 KB
FB 23 - Bietererklärung Russlandbeziehungen.docxFormular32 KB
FB 24 - Erklärung Unteraufträge Eignungsleihe - bei Bedarf.docxFormular40 KB
FB 25 - Verpflichtungserklärung Unterauftragnehmer Eignungsleiher - bei Bedarf.docxFormular78 KB
FB 26 - Erklärung Bietergemeinschaft - bei Bedarf.docxFormular40 KB
FB 27 - Leistungsverzeichnis deutsch.docxLVLeistungsverzeichnis45 KB
Leistungsverzeichnis englisch.docxLVLeistungsverzeichnis32 KB

Anforderungen

Angebote dürfen nicht nachgefordert werden.

Änderungen und Bieterfragen

1 Eintrag
  1. 22.10.2026BekanntmachungBekanntmachung CXP4D4ZMW2D

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