Vollautomatisches Wafer-Reinigungssystem

1x Fully Automated Wafer Cleaning Tool Die folgende Gerätespezifikation definiert ein vollautomatisches Nasswerkzeug zur Reinigung und optionalen Ätzung von Wafer-Substraten. Das neue Gerät erweitert das Prozessportfolio um verschiedene Reinigungstechnologien zur Entfernung organischer und anorganischer Verunreinigungen für Anwendungen wie die Reinigung von TSVs mit hohem Aspektverhältnis (bis zu 25:1), die Dekontamination der Vorder- und Rückseite für ultrahochdichte BEOL wie Verdrahtungen oder für Stapeltechnologien mit Cu/Cu-Hybridverbindungen mit Strukturgrößen im Sub-µm-Bereich. Die Anforderungen an die Dekontamination und Sauberkeit der Waferoberfläche erfordern eine Partikelkontrolle auf weniger als 1 μm Größe, eine metallische Oberflächenverunreinigung von weniger als 10^9 Atomen/cm^2 und eine Oberflächenrauheit von weniger als 5 Å. Das Gerät ist mit 3D-Waferstapeln mit hoher Verformung/Wölbung kompatibel. Die Wafer-Substrate bestehen aus Silizium und/oder Glas, haben einen Durchmesser von 200 oder 300 mm und eine Dicke von bis zu 2,5 mm. Vor dem Prozess werden die Wafer in Front Opening Unified Pods (FOUPs) zum Gerät transportiert, die vom Bediener manuell auf die jeweiligen Ladeöffnungen gesetzt werden. Das neue Gerät muss in der Lage sein, die folgenden Schritte vollautomatisch auszuführen: • Entladen der vorgesehenen Wafer aus dem FOUP • Wenden der Wafer • Durchführen der Nassprozesse • Entladen der Wafer zurück in ihre Ausgangsposition im FOUP Die Programmierung von Rezepturen muss innerhalb eines angemessenen Bereichs von Optionen und Parametern möglich sein, wie es für Forschung und Entwicklung (F&E) erforderlich ist. Es muss ein Sicherheitsschrank für das Mischen und die Lagerung aller erforderlichen Nasschemikalien vorhanden sein. Optionale Features: - Ausgedünnter Waferdickenbereich von 200 und 300 mm (Si oder Glas): 300 ... 600 µm (LV-Pos 1.19) - Extremer Verzugs- und Wölbungsbereich 1500 .. 2500 µm (LV-Pos 1.23) - Option: Anorganischer Ätzprozess für Metall- und Oxidschichten (LV-Pos 2.22) - Megasonic oder ähnliche Energie als Option (LV-Pos 2.58) - Einzelwafer-Sprühverfahren (LV-Pos 2.59) - Einstellbare Sprühdüsen/Arm zur Optimierung der Ätzgleichmäßigkeit (LV-Pos 2.60) - Optische Endpunkterkennung (LV-Pos 2.61) - Schneller Spin-Wafer-Chuck (einstellbar) bis zu 2000 U/min (LV-Pos 2.62) - Chemikalien: Zweikomponentenmischung und mit CO2 beladenes DI-Wasser (LV-Pos 2.63) - 10-Liter-Innentanks mit Einzel-/Rückgewinnungsmodus (LV-Pos 2.64) - Überlaufschutz (LV-Pos 2.65) - Sicherheitsschrank für Lagerung, Mischung und Nachfüllung der beiden Komponenten (LV-Pos 2.66) - Reines DI-Wasser (LV-Pos 2.67) - Trockenverfahren (LV-Pos 2.68) - 10 x 300 mm Wafer Siliziumoxid-Ätzen ohne Rückstände (Ätzrate > 0,1 µm/min für Siliziumdioxid, Ätzgleichmäßigkeit < 5 % 1 Sigma) (LV-Pos 3.25)