Vollautomatisches System für BEoL Layer Transfer
Was wird ausgeschrieben
Die Fraunhofer-Gesellschaft beschafft ein vollautomatisches System für den BEoL (Back-End-of-Line) Layer Transfer von Halbleiterwafern. Das Gerät dient der temporären Verklebung von Bauelementwafern auf Trägerwafern, um die Verarbeitung extrem dünner Wafer unter 20 µm zu ermöglichen. Die Beschaffung erfolgt im Rahmen eines Verhandlungsverfahrens mit Teilnahmewettbewerb.
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BEoL Layer Transfer, fully automated (IZM-135)
Die Fraunhofer-Gesellschaft sucht ein hochspezialisiertes, vollautomatisches System für den sogenannten BEoL Layer Transfer. Dabei geht es um einen Prozess in der Halbleiterfertigung, bei dem extrem dünne Bauelementwafer (unter 20 Mikrometer) temporär auf stabilen Trägerwafern fixiert werden, um sie sicher verarbeiten zu können. Das System ist für den Standort Berlin vorgesehen und soll die Handhabung dieser empfindlichen Komponenten automatisieren. Da es sich um eine hochkomplexe Labor- bzw. Fertigungsausrüstung handelt, liegt der Fokus bei der Vergabe zu 65 Prozent auf der technischen Qualität und zu 35 Prozent auf dem Preis.
Aufteilung in Lose
1 Lot1x BEoL Layer Transfer, fully automated Um der starken Nachfrage nach einer zuverlässigen Verarbeitung und Handhabung von Halbleiterwafern mit einer Dicke von weniger als 20 µm gerecht zu werden, ist die temporäre Verklebung von Bauelementwafern auf dicken Trägerwafern ein bewährtes Verfahren. Gängige temporäre Trägersysteme sind Glaswafer in Kombination mit polymerbasierten Haftschichten. Bei Glas-Trägern können die temporären Verbindungsschichten für die endgültige Wafer-Entbindung mittels UV-Laser manipuliert werden, um die Haftfestigkeit zu verringern. Das Ziel der hier spezifizierten Maschine ist es, die Entbindung mittels eines auf Infrarotlicht (IR) basierenden Lasers durchzuführen, sodass Siliziumwafer als temporäre Träger verwendet werden können. Der Zweck dieser Gerätespezifikation besteht darin, die grundlegenden Anforderungen an einen vollautomatischen IR-Laser-Debonder für das Ablösen unter anderem folgender Materialien zu definieren • Siliziumwafer und Wafer aus anderen Materialien • Gerätewafer mit einer Dicke von weniger als 20 µm • anorganische RDL-First- und Back-End-of-Line-Schichten (BEoL) vorübergehend auf verschiedenen Arten von Si-Trägerwafern unter Verwendung unterschiedlicher Verbindungsschichten verbunden und montiert. Die vorübergehend verbundenen Waferpaare werden auf Filmrahmen montiert, sodass sie in standardisierten Filmrahmenkassetten zum Laser-Debonder transportiert werden können. Das Debonding-System muss in der Lage sein, die folgenden Schritte vollautomatisch auszuführen. • Laden des Filmrahmens aus der Filmrahmenkassette • Mechanische Vorausrichtung und Lesen der Wafer-ID • Handhabung des Filmrahmens in der Laser-Entbondierungsstation • Laserbehandlung • Entladen des Filmrahmens mit dem laserbehandelten Wafer in die Filmrahmenkassette Um einen hohen Durchsatz zu erzielen, muss die Maschine in der Lage sein, den Laserprozess an einem Waferpaar und die Vorausrichtung eines anderen Waferpaars auf dem Filmrahmen parallel durchzuführen. Darüber hinaus muss die Software des Systems die Programmierung verschiedener automatischer Aktionsabläufe innerhalb und zwischen den verschiedenen Maschinenstationen und Modulen ermöglichen. Die Programmierung von Rezepturen muss innerhalb eines für Forschung und Entwicklung (F&E) erforderlichen angemessenen Bereichs von Optionen und Parametern möglich sein. Optionale Features: - Ein FOUP-Ladeanschluss für SEMI-konforme 300-mm-FOUPs (LV-Pos. 3.2) - Module und Handhabungsstationen - 300-mm-Trennmodul (LV-Pos. 4.3) - Module und Handling-Stationen - 200-mm-Trennmodul (LV-Pos. 4.4) - Zusätzliche Endeffektoren zum Be- und Entladen der Filmrahmen (LV-Pos. 4.5.2) - Endeffektor für die Handhabung von Trägerwafern (LV-Pos. 4.5.3) - Zusätzlicher flacher Touchscreen (LV-Pos. 5.5) - Erstellen und Bearbeiten von Rezepturen auf einem zweiten Computer (LV-Pos. 5.33) - Visualisierung von Prozessparametern in Diagrammen auf einem zweiten Computer (LV-Pos. 5.34) - Umschalten der Laserquelle in den Leerlaufmodus, wenn kein Prozess läuft (LV-Pos. 7.2)
Zuschlagskriterien
2 Kriterien- quality65%
Technische Ausführung
- price35%
Bewertet wird der Gesamtpreis inkl. aller Nebenkosten über die Laufzeit
Zeitplan
- 28. Mai 2026Bekanntmachung veröffentlichtAuf TED publiziert