Halbautomatisches 300-mm-HF-Messsystem für On-Wafer-Messungen bis 250 GHz
Was wird ausgeschrieben
Das IHP Leibniz-Institut für innovative Mikroelektronik beschafft ein halbautomatisches 300-mm-HF-Probersystem für On-Wafer-Messungen bei Frequenzen bis zu 250 GHz. Das System muss über eine integrierte kontrollierte Trockenatmosphäre verfügen, um Kondensation bei Messungen unter Umgebungstemperatur zu verhindern. Die Ausschreibung umfasst ein einzelnes Los und ist für den Standort Frankfurt (Oder) vorgesehen.
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300 mm Semi-Automatic RF Probe System for On-Wafer Measurements up to 250 GHz
Das IHP Leibniz-Institut für innovative Mikroelektronik in Frankfurt (Oder) sucht ein hochspezialisiertes Messsystem für die Halbleiterforschung. Es handelt sich um ein halbautomatisches System, das Wafer – also Siliziumscheiben, auf denen Mikrochips gefertigt werden – bei sehr hohen Frequenzen von bis zu 250 Gigahertz vermessen kann. Eine Besonderheit ist die integrierte Trockenatmosphäre, die verhindert, dass bei Messungen unterhalb der Raumtemperatur Eis oder Kondenswasser entsteht. Zudem muss das System so gestaltet sein, dass später verschiedene thermische Spannfutter zur Temperaturkontrolle einfach nachgerüstet werden können. Da es sich um ein hochkomplexes wissenschaftliches Gerät handelt, ist die technische Spezifikation für den Erfolg des Angebots entscheidend.
Aufteilung in Lose
1 LotHalbautomatisches 300-mm-HF-Messsystem mit kontrollierter Trockenatmosphäre - Halbautomatisches 300-mm-Probersystem für On-Wafer-Messungen - Integrierte kontrollierte Trockenatmosphäre zur Vermeidung von Kondensation und Eisbildung bei Messungen unter Umgebungstemperatur - Systemdesign mit definierter Schnittstellenarchitektur zur Integration optionaler thermischer Spannfutter (thermal chuck) über standardisierte mechanische, elektrische und softwareseitige Schnittstellen - Automatische Erkennung von Wafergrößen (150 mm, 200 mm, 300 mm sowie Einzelchips bis 5 × 5 mm) - Präzisions-XY-Tisch: mindestens 310 × 310 mm Verfahrbereich, Wiederholgenauigkeit < 1,0 µm, Genauigkeit < 2,0 µm - Präzisions-Z-Tisch: mindestens 30 mm Verfahrbereich, Wiederholgenauigkeit < 1,0 µm, Genauigkeit < 2,0 µm - Theta-Achse: ±5°, Auflösung ? 0,0001° - Gesteuerter Kontaktmechanismus mit ? 1 µm Wiederholgenauigkeit - Integrierter Schwingungsisolations- und Nivelliertisch - Zentrale Bedienkonsole zur Steuerung aller Achsen und Funktionen - Tastatur- und Mausablage integriert - Spannungsversorgung 100-240 V AC, 50/60 Hz
Zeitplan
- 16. Juni 2026Bekanntmachung veröffentlichtAuf TED publiziert
- 16. Juli 2026EinreichungsfristElektronische Einreichung