Anlage zur Tiefenreaktions-Ionenätzung für Silizium und weitere Materialien
- Status
- Offen
- Angebotsfrist
- 17.11.2026, 00:00 (Europe/Berlin)
- Geschätzter Wert
- 1 SEK
- Lose
- 1
- Auftraggeber
- Uppsala universitet
- Erfüllungsregion
- Schweden
- Verfahren
- Offenes Verfahren
- Auftragsart
- Lieferleistung
- Veröffentlicht
- 03.11.2026
- CPV-Codes
- Industrielle Maschinen (42000000)
- Bekanntmachung
- e-avrop.com
- Bekanntmachungsnummer
- 763694-2026
- Verfahrensnummer
- af31bec1-a9e7-474a-ac38-3652b7cf2461
Fragenkatalog
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Kurzbeschreibung
Die Universität Uppsala (Uppsala universitet) in Schweden beschafft für Myfab Uppsala eine Anlage zur Tiefenreaktions-Ionenätzung (DRIE). Sie soll lithografisch erzeugte Muster in Silizium und weiteren geeigneten Materialien übertragen und ein breites Spektrum an Ätzverfahren ermöglichen, darunter Ätzungen mit hoher Gleichmäßigkeit und großem Aspektverhältnis bis in den Nanometerbereich. Die Angebotsfrist endet am 16. November 2026.
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Leistungsbeschreibung
Myfab Uppsala aims at purchasing a Deep Reaction Ion Etcher (DRIE). The purpose of the tool is to transfer patterns defined by e.g., photo- and electron beam lithography covering the pattens size range from all substrate range down to a few nanometres. The system will be used by many operators in a university laboratory environment. It must be easy to use and be insensitive to frequent change of process between batches. The processes include broad range of etching capability: low to high etch rate, wafer dicing, high uniformity, high open area, high aspect ratio, and nanometre scale. The system is intended for etching of silicon as well as other materials compatible with silicon etching, with both photoresist resins and hard masks for patterning.
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Leistungen nach Losen (1)
LOT-0001 · Deep Reaction Ion Etcher (DRIE)
Myfab Uppsala aims at purchasing a Deep Reaction Ion Etcher (DRIE). The purpose of the tool is to transfer patterns defined by e.g., photo- and electron beam lithography covering the pattens size range from all substrate range down to a few nanometres. The system will be used by many operators in a university laboratory environment. It must be easy to use and be insensitive to frequent change of process between batches. The processes include broad range of etching capability: low to high etch rate, wafer dicing, high uniformity, high open area, high aspect ratio, and nanometre scale. The system is intended for etching of silicon as well as other materials compatible with silicon etching, with both photoresist resins and hard masks for patterning.
Frist: 17.11.2026, 01:00 (Europe/Berlin)
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